在电场的作用下，银离子从高电位向低电位迁移，并形成絮状或枝蔓状扩展，在高低电位相连的边界上形成黑色氧化银。通过著名的水滴试验可以很清楚地观察到银迁移现象。水滴试验十分简单，在相距很近的含银的导体间滴上水滴，同时加上直流偏置电压就可以观察到银离子迁移现象。

银离子的迁移会造成无电气连接的导体间形成旁路，造成绝缘下降乃至短路。除导体组份中含银外，导致银迁移产生的因素还有：基板吸潮；相邻近导体间存在直流电压，导体间隔愈近，电压愈高愈容易产生；偏置时间；环境湿度水平；存在离子或有沾污物吸附；表面涂覆物的特性等。

银迁移造成旁路引起失效有以下特征：

在高湿存在偏压的情况下产生；银离子迁移发生后在导体间留下残留物，在干燥后仍存在旁路电阻，但其伏-安特性是非线性的，同时具有不稳定和不可重复的特点。这与表面有导电离子沾污的情况相类似。

银迁移是一个早已为业界所熟知的现象，是完全可预防的：在布局、布线设计时避免细间距相邻导体间直流电位差过高；制造表面保护层避免水汽渗入含银导体。对产品使用环境特别严酷的(如接近100%RH，85℃)可将整个电路板浸封或涂覆来进行保护。此外，焊接后清洗基板上助焊剂残留物，亦可防止表面有导电离子沾污。

深圳市亿百斯特电子有限公司专业生产防尘防水轻触开关9年，对防水轻触开关的密封性以及防银迁移性能有丰富的经验，本公司生产的防水轻触开关均具有防银迁移特性，使得轻触开关在复杂恶劣的环境中依然正常工作。